技術(shù)編號：11126705
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及晶圓的化學(xué)氣相淀積反應(yīng)腔。背景技術(shù)常壓化學(xué)氣相淀積是指將反應(yīng)氣體置入反應(yīng)腔中，反應(yīng)氣體擴(kuò)散至反應(yīng)腔中的晶圓表面，在晶圓表面附近的反應(yīng)區(qū)發(fā)生反應(yīng)形成薄膜。現(xiàn)有的常壓化學(xué)反應(yīng)腔的結(jié)構(gòu)設(shè)計不合理，反應(yīng)氣體不能均勻的擴(kuò)散至晶圓表面，導(dǎo)致形成的薄膜厚度不均勻。發(fā)明內(nèi)容針對現(xiàn)有技術(shù)存在的上述問題，申請人進(jìn)行研究及改進(jìn)，提供一種常壓化學(xué)氣相淀積反應(yīng)腔。為了解決上述問題，本發(fā)明采用如下方案：一種常壓化學(xué)氣相淀積反應(yīng)腔，包括腔體，所述腔體中內(nèi)置有導(dǎo)氣管及用于支撐晶圓的支撐座，所述...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。