技術(shù)編號(hào):11126832
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體單晶技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種化合物半導(dǎo)體單晶生長(zhǎng)裝置及方法。背景技術(shù)GaAs(砷化鎵)是繼Ge(鍺)、Si(硅)之后的第二代半導(dǎo)體材料,半導(dǎo)體的發(fā)展歷程,伴隨不同時(shí)期新材料的出現(xiàn),半導(dǎo)體的應(yīng)用先后出現(xiàn)了幾次飛躍。90年代之前,在半導(dǎo)體領(lǐng)域里,以硅材料為主的半導(dǎo)體占有市場(chǎng)的絕對(duì)統(tǒng)治地位。但從技術(shù)上講,硅由于其材料本身性能的限制,在微電子領(lǐng)域的應(yīng)用范圍已不能滿足現(xiàn)代信息技術(shù)發(fā)展的要求。隨著以硅為材料基礎(chǔ)的微電子技術(shù)的高度發(fā)展,超微細(xì)加工將它的集成度和速度推向極限。在微電子技術(shù)發(fā)展的歷史...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。