技術(shù)編號：11134272
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及一種門極換流晶閘管物理模型建模方法。背景技術(shù)集成門極換流晶閘管(integratedgatecommutatedthyristor，IGCT)由核心器件門極換流晶閘管(gatecommutatedthyristor，GCT)與集成門極電路兩部分組成，在門極關(guān)斷晶閘管的基礎(chǔ)上，采用了透明陽極、緩沖層結(jié)構(gòu)、集成門極等技術(shù)，使IGCT兼具晶體管與晶閘管的雙重優(yōu)點，具有通流能力強、通態(tài)壓降低、開關(guān)速度快等特性，在中高壓領(lǐng)域優(yōu)勢明顯，受到各國科研工作者的關(guān)注，并在大容量電力電子變換器裝置中得到廣...
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該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。
請注意，此類技術(shù)沒有源代碼，用于學(xué)習(xí)研究技術(shù)思路。