技術(shù)編號：11136061
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明的實施例涉及半導體領(lǐng)域，更具體地，涉及具有帶單元的存儲器陣列。背景技術(shù)靜態(tài)隨機存取存儲器(“SRAM”)陣列通常用于集成電路器件中的數(shù)據(jù)存儲。最近，鰭式場效應(yīng)晶體管(“finFET”)技術(shù)的進步使用可能的finFET晶體管制造了先進的SRAM單元。SRAM陣列性能通常與布局有關(guān)。例如，SRAM單元位于SRAM陣列中的位置有時使得SRAM陣列的內(nèi)部單元與SRAM陣列的邊緣單元相比不同地執(zhí)行操作。性能的差異通常由邊緣單元的不連續(xù)單元布局結(jié)構(gòu)引起。一些SRAM陣列包括具有P阱和N阱帶結(jié)構(gòu)的偽單元...
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