技術(shù)編號:11136498
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于信息存儲技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種NAND存儲器的形成方法,以及一種NAND存儲器結(jié)構(gòu)及其形成方法,和三維NAND存儲器陣列。背景技術(shù)NAND存儲器技術(shù)不斷發(fā)展,其存儲性能不斷提高,很多相關(guān)技術(shù)不斷提出新的結(jié)構(gòu)方案。其中,BiCS(BitCostScalable)技術(shù)為“平面柵垂直溝道”和“先柵后溝道”工藝,參照相關(guān)文獻,例如,[1]、H.Tanakaetal.,BitCostScalableTechnologywithPunchandPlugProcessforUltraHighDens...
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