技術編號：11136637
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。用于半導體裝置的堆疊件及其形成方法本專利申請要求于2015年8月3日提交的第62/200,335號美國臨時專利申請以及于2016年3月30日提交的第15/086,015號美國非臨時專利申請的優(yōu)先權權益，上述申請的公開內容通過引用全部包含于此。技術領域本公開涉及半導體裝置。更具體地，本公開涉及一種形成在下層上的納米線和/或納米片的堆疊件，所述下層具有與在納米片和/或納米線的堆疊件被允許連貫地弛豫時堆疊件將具有的晶格參數基本上相匹配的晶格參數。背景技術發(fā)生應變了的半導體材料可以在諸如場效應晶體管(F...
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