技術(shù)編號：11136643
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本公開涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，具體地，涉及具有連續(xù)側(cè)墻的半導(dǎo)體設(shè)置及其制造方法以及包括這種半導(dǎo)體設(shè)置的電子設(shè)備。背景技術(shù)隨著半導(dǎo)體器件的不斷小型化，短溝道效應(yīng)越來越明顯。對此，提出了立體型器件——鰭式場效應(yīng)晶體管(FinFET)。FinFET通常包括在襯底上的豎直鰭以及與鰭相交的柵堆疊。可以在鰭的側(cè)壁上形成溝道。為了形成FinFET，可以在襯底上形成各自分別連續(xù)延伸的脊?fàn)钗?。根?jù)布局設(shè)計(jì)，可以將這些連續(xù)延伸的脊?fàn)钗飿?gòu)圖為不同的部分，這些部分隨后形成器件的鰭。另外，可以在襯底上形成各自分別連續(xù)延伸的柵線。...
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