技術編號：11136735
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及半導體技術領域，特別涉及一種氮化鎵基LED外延片及其生長方法。背景技術發(fā)光二極管(英文：LightEmittingDiode，簡稱LED)的核心部分是由p型半導體和n型半導體組成的晶片，在p型半導體和n型半導體之間有一個過渡層，稱為pn結(jié)。在pn結(jié)中，p型半導體注入的空穴與n型半導體注入的電子復合，多余的能量以光的形式釋放出來，從而把電能直接轉(zhuǎn)換為光能。以氮化鎵為代表的Ⅲ族氮化物是直接帶隙的寬禁帶半導體材料，具有電子飄移飽和速度高，熱導率好、強化學鍵、耐高溫以及抗腐蝕等優(yōu)良性能，廣泛應...
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