技術(shù)編號(hào)：11137335
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體激光器領(lǐng)域，特別涉及一種利用金屬局域表面等離子體激元實(shí)現(xiàn)發(fā)光效率增強(qiáng)的半導(dǎo)體激光器。背景技術(shù)半導(dǎo)體激光器體積小、重量輕、可靠性高、使用壽命長(zhǎng)、功耗低等特點(diǎn)，在工業(yè)加工、激光醫(yī)療、激光光通信、激光測(cè)距、工業(yè)探測(cè)、光存儲(chǔ)和激光打印等軍事和民用領(lǐng)域有著廣泛應(yīng)用。目前，高質(zhì)量半導(dǎo)體激光器芯片材料多采用分子束外延(MBE)、金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積(MOCVD)方法外延制備。盡管半導(dǎo)體激光器材料外延技術(shù)已經(jīng)取得很大進(jìn)展，但半導(dǎo)體激光器器件仍存在發(fā)光效率低的問題，嚴(yán)重限制了其性能的提高，制約了其...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。