技術(shù)編號(hào)：11142524
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體晶片、由該半導(dǎo)體晶片單片化而得的半導(dǎo)體器件及其制造方法。背景技術(shù)近年來，具有高耐壓特性且用于流動(dòng)大電流的用途的功率器件被廣為開發(fā)。在這樣的功率器件的開發(fā)之中，氮化物半導(dǎo)體作為具有高絕緣擊穿電場和高飽和電子速度的材料受到關(guān)注。其中，使用了GaN(氮化鎵)的GaN功率器件有望在將來的低損耗、高速功率開關(guān)系統(tǒng)中對(duì)節(jié)能作出巨大的貢獻(xiàn)。在GaN功率器件的制造中，如果進(jìn)行硅制半導(dǎo)體晶圓中通常使用的切刀切割，則會(huì)因?yàn)镚aN膜比硅硬而且GaN等氮化物半導(dǎo)體與硅的晶格常數(shù)和熱膨脹系數(shù)等不同，而在切...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。