技術(shù)編號：11142573
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本說明書公開了一種垂直半導(dǎo)體裝置，其包括形成在半導(dǎo)體基板的前表面上的前表面電極和形成在半導(dǎo)體基板的后表面上的后表面電極，并且該垂直半導(dǎo)體裝置能夠改變前表面電極和后表面電極之間的電阻。具體地，公開了一種包括形成有用于改變電阻的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的元件區(qū)和圍繞該元件區(qū)的外圍區(qū)的垂直半導(dǎo)體裝置。背景技術(shù)已知這樣的垂直半導(dǎo)體裝置：被施加到柵電極的電壓改變前表面電極和后表面電極之間的電阻。MOS包括分離源極區(qū)和漂移區(qū)的主體區(qū)，以及隔著柵極絕緣膜而與主體區(qū)對置的柵電極?；蛘撸琁GBT包括分離發(fā)射區(qū)和漂移區(qū)的主體區(qū)，...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。