技術(shù)編號：11142581
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種形成浮柵存儲器單元的半導(dǎo)體存儲器陣列的自對準(zhǔn)方法。本發(fā)明還涉及一種前述類型的浮柵存儲器單元的半導(dǎo)體存儲器陣列。背景技術(shù)使用浮柵以便在其上存儲電荷的非易失性半導(dǎo)體存儲器單元及形成于半導(dǎo)體襯底中的此類非易失性存儲器單元的存儲器陣列在本領(lǐng)域中是眾所周知的。通常，此類浮柵存儲器單元一直是分裂柵類型或疊柵類型的。半導(dǎo)體浮柵存儲器單元陣列的可制造性所面臨的問題之一是諸如源極、漏極、控制柵和浮柵的各種組件的對準(zhǔn)。隨著半導(dǎo)體處理的集成設(shè)計規(guī)則減少，從而減小最小光刻特征部件，對精確對準(zhǔn)的需求變得愈發(fā)...
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