技術編號：11147102
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及一種側抽氣孔式空腔控溫盤，屬于半導體薄膜沉積應用及制造技術領域。背景技術半導體設備在進行沉積反應時往往需要使晶圓及腔室加熱或維持在沉積反應所需要的溫度，所以加熱盤必需具備加熱結構以滿足給晶圓預熱的目的。多半半導體薄膜沉積設備，在沉積過程中還會有等離子體參與沉積反應，因等離子體能量的釋放以及化學氣體間反應的能量釋放，加熱盤及晶圓的溫度會隨著射頻及工藝時間的增加溫度會不斷的上升；如果在進行相同溫度下的工藝，需要等待加熱盤降到相同的溫度后才能進行，這樣會耗費大量的時間，設備的產(chǎn)能相對比較低。...
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