技術(shù)編號：11147426
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于納米結(jié)構(gòu)材料領(lǐng)域，具體地，涉及一種用電化學(xué)沉積法制備納米結(jié)構(gòu)陣列的方法，以及由該方法制備的納米結(jié)構(gòu)陣列。背景技術(shù)用于制備納米結(jié)構(gòu)陣列的方法有多種，例如反應(yīng)蒸發(fā)、濺射、脈沖激光沉積、溶膠凝膠過程、化學(xué)氣相沉積、噴霧熱分解、化學(xué)浴沉積、連續(xù)離子層吸附與反應(yīng)法、電化學(xué)沉積等。其中，電化學(xué)沉積方法具有若干其他方法無法比擬的優(yōu)點(diǎn)，例如，能通過改變沉積條件，精確控制薄膜的厚度和形貌，易于大面積成膜，沉積速度快，沉積溫度低(一般小于80℃)，設(shè)備簡單，成本低廉等等，因此近年來逐漸引起人們的關(guān)注。對于...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。