技術編號：11147588
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及一種氧化物半導體材料生長方法,尤其涉及一種利用管式爐生長大面積單晶二氧化釩薄膜方法。背景技術二氧化釩是一種具有獨特性質的過渡金屬氧化物，在340K左右會出現(xiàn)絕緣體向金屬態(tài)的熱致相變。二氧化釩的這種相變不僅可以通過加溫來實現(xiàn)，通過其他諸如光照，加電場等方式都有可能引發(fā)。具有熱致相變特性的二氧化釩薄膜在激光防護、超快開關和紅外熱成像方面具有潛在的應用價值，因而二氧化釩薄膜被形象的稱為“智能薄膜”。一般二氧化釩薄膜材料制備方法主要有真空蒸鍍法、濺射法、化學氣相沉積法、物理氣相沉積和脈沖激光沉...
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