技術(shù)編號(hào):11161447
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本申請(qǐng)總體上涉及用于制造半導(dǎo)體器件的方法。更具體地,公開(kāi)的實(shí)施例涉及用于去除外延生長(zhǎng)工藝期間在半導(dǎo)體器件上形成的核的方法。背景技術(shù)外延生長(zhǎng)是在半導(dǎo)體襯底上創(chuàng)建結(jié)晶區(qū)的常用方法。然而,在半導(dǎo)體襯底的非期望區(qū)域中的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成是不希望的。例如,在半導(dǎo)體襯底的非期望區(qū)域生長(zhǎng)的任何半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)可能不利地影響在襯底上形成的器件的電和/或機(jī)械特性。選擇性外延生長(zhǎng)(SEG)用于在半導(dǎo)體襯底的目標(biāo)區(qū)域上創(chuàng)建結(jié)晶區(qū)。對(duì)于選擇性外延生長(zhǎng),半導(dǎo)體襯底覆蓋有掩膜材料,暴露底層襯底的某些區(qū)域。對(duì)于這樣的半導(dǎo)體襯底,外延...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。