技術(shù)編號：11161450
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明一般涉及極紫外線光刻，具體而言，涉及用于極紫外線光刻的極紫外線反射構(gòu)件的覆蓋層、制造系統(tǒng)和光刻系統(tǒng)。背景技術(shù)現(xiàn)代消費(fèi)和工業(yè)電子系統(tǒng)變得越來越復(fù)雜。電子器件需要在更小和更柔性的封裝中的更高密度的電子元件。隨著元件密度增加，需要技術(shù)進(jìn)步來滿足對具有更小特征結(jié)構(gòu)尺寸的更高密度器件的需求。極紫外線(extremeultraviolet；EUV)光刻，也稱為軟X射線投射光刻(softx‐rayprojectionlithography)，是一種用于0.13微米和更小的、最小的特征結(jié)構(gòu)尺寸的半導(dǎo)體器件...
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