技術編號：11161458
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。用以實現(xiàn)高密度高SP3含量層的高功率脈沖磁控濺鍍工藝背景技術領域本文公開的實施例大體而言涉及用于膜的沉積的方法。更具體而言，實施例涉及沉積用于半導體器件中的納米晶金剛石膜的設備和方法。背景技術由于半導體產業(yè)引入了具有更高性能和更大功能性的新世代集成電路(IC)，形成那些集成電路的元件的密度提高了，而個體的部件或元件之間的尺寸、大小及間距減小了。雖然在過去這種減小僅被使用光刻限定結構的能力限制，但尺寸以微米(μm)或納米(nm)測量的器件幾何形狀已產生了新的限制因素，諸如導電互連件的導電率、互連件...
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