技術(shù)編號(hào)：11161545
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。使用具有表面終止物的納米線形成的縮放的TFET晶體管背景技術(shù)在過去幾十年中，對(duì)集成電路(IC)中的特征進(jìn)行縮放一直是日益增長的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)背后的驅(qū)動(dòng)力?？s放到越來越小的特征能夠增大在半導(dǎo)體芯片的有限基板面上的功能單元的密度。例如，縮小晶體管尺寸允許在芯片上并入增大數(shù)量的存儲(chǔ)器器件，從而使得制造出的產(chǎn)品具有增大的處理容量。然而，對(duì)越來越多的處理容量的驅(qū)動(dòng)并非沒有問題。優(yōu)化每個(gè)器件的性能和能耗的必要性變得越來越重要。在IC器件的制造中，隨著器件尺寸持續(xù)縮小，諸如三柵極晶體管等多柵極晶體管已經(jīng)變得更為普...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。