技術(shù)編號：11179213
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本公開實施例涉及半導(dǎo)體裝置與其形成方法。背景技術(shù)隨著半導(dǎo)體技術(shù)進(jìn)展，對更高儲存容量、更快處理系統(tǒng)、更高效能、與更低成本的需求也隨之增加。為達(dá)上述需求，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)持續(xù)縮小半導(dǎo)體裝置的尺寸。半導(dǎo)體裝置可為金屬氧化物半導(dǎo)體場效晶體管(MOSFET)如平面的MOSFET與FinFET。尺寸縮小會增加半導(dǎo)體工藝的復(fù)雜度。發(fā)明內(nèi)容本公開一實施例提供的半導(dǎo)體裝置的形成方法，包括：形成多個鰭狀物于基板上；沉積柵極層于鰭狀物上，且柵極層具有第一材料；沉積犧牲層于柵極層上，犧牲層具有第二材料，且第二材料不同于第一材...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。