技術(shù)編號：11179360
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及半導體元器件技術(shù)，尤其涉及一種高電子遷移率晶體管及其制作方法。背景技術(shù)GaN(氮化鎵)是第三代寬禁帶半導體材料，由于其具有大禁帶寬度、高電子飽和速率、高擊穿電場，較高熱導率，耐腐蝕和抗輻射性能，在高壓、高頻、高溫、大功率和抗輻照環(huán)境條件下具有較強的優(yōu)勢，被認為是研究短波光電子器件和高壓高頻率大功率器件的最佳材料。在大功率器件中，高電子遷移率晶體管是研究熱點，其包含的半導體有源層是研究的關(guān)鍵，該半導體有源層包括自下而上依次形成的襯底、GaN層和AlGaN(氮化鎵鋁)層。AlGaN層與Ga...
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