技術(shù)編號(hào)：11179364
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件領(lǐng)域，尤其涉及一種半導(dǎo)體器件及制造方法。背景技術(shù)隨著高效完備的功率轉(zhuǎn)換電路和系統(tǒng)需求的日益增加，具有低功耗和高速特性的功率器件最近吸引了很多關(guān)注。氮化鎵(GaN)作為一種第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料，由于其具有大禁帶寬度(3.4eV)、高電子飽和速率(2×107cm/s)、高擊穿電場(chǎng)(1×1010--3×1010V/cm)，較高熱導(dǎo)率，耐腐蝕和抗輻射性能，在高壓、高頻、高溫、大功率和抗輻照環(huán)境條件下具有較強(qiáng)的優(yōu)勢(shì)，被認(rèn)為是研究短波光電子器件和高壓高頻率大功率器件的最佳材料。尤其是G...
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