技術(shù)編號(hào)：11202548
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及石墨烯技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種基于短暫性構(gòu)架的高電導(dǎo)率石墨烯薄膜的制備方法。背景技術(shù)隨著便攜式電子器件、顯示器、柔性電子器件、太陽(yáng)能電池、以及薄膜晶體管的快速發(fā)展，導(dǎo)電薄膜的需求量也日益增大。目前研究和應(yīng)用最廣泛的是金屬氧化物導(dǎo)電薄膜，主要有Sn2O、In2O3和ZnO基三大體系，不僅具有高載流子遷移率和低電阻率，還具有優(yōu)異的可見光透過(guò)率，然而它們?cè)谑褂眠^(guò)程中也存在一些缺點(diǎn)，例如成本高昂、脆性太大而不易彎曲、有一定的結(jié)構(gòu)缺陷、銦元素有毒、在酸堿環(huán)境下不穩(wěn)定等等。因此，需要尋求一種新的材料...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。