技術編號：11202923
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。包括InGaAs溝道的FET裝置及制造該FET裝置的方法本申請要求于2016年3月21日在美國專利商標局提交的第62/311,025號美國臨時專利申請和于2016年11月8日在美國專利商標局提交的第15/346,535號美國非臨時專利申請的優(yōu)先權和權益，這些申請的全部內容通過引用包含于此。技術領域以下描述總體上涉及包括由砷化銦鎵(InGaAs)形成的溝道的場效應晶體管(FET)。背景技術根據(jù)閾值電壓(Vt)，F(xiàn)ET裝置可分類為常規(guī)閾值電壓(RVT)裝置、低閾值電壓(LVT)裝置或超低閾值電壓(S...
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