技術編號：11213944
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本專利涉及存儲硬件領域，具體涉及一種存儲器高壓防耦合高壓泄放電路。背景技術在非揮發(fā)存儲器電路中，通過高壓信號對存儲器中的存儲單元進行讀寫操作。當讀寫電路對某個存儲單元讀寫時，不應該影響臨近電路的讀寫狀態(tài)，造成誤操作而影響數(shù)據的正確性和可靠性。傳統(tǒng)的非揮發(fā)存儲器由于單元面積大，相鄰的間距大，電壓信號耦合并不嚴重，一般并不采取防耦合措施。然而隨著存儲單元的面積尺寸越來越小，單元之間的排列愈來愈緊湊，高壓控制信號對臨近單元的信號耦合愈來愈嚴重，對單元的誤讀寫操作時常發(fā)生，不得不引起我們的重視。為了防止...
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