技術編號：11214242
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及一種基板處理裝置。背景技術以往公知有一種包括以下工序的半導體裝置的制造方法：向設置在反應管的內(nèi)部的處理室搬入在與基板處理面垂直的方向上配置有多張的基板，該反應管以被加熱裝置包圍外周的方式設置；向以至少到達加熱裝置的外側的方式設置在反應管的內(nèi)部且設置在反應管的側面的位于處理基板的區(qū)域的部分的氣體導入管導入氣體，從以在與基板處理面垂直的方向上跨著至少兩張以上基板的大小設置成狹縫狀的噴出口向處理室噴出氣體，處理基板。在該半導體裝置的制造方法中，在基板處理工序中，向后述的多個氣體導入劃分部導入...
注意：該技術已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權人授權前，僅供技術研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術人員進行技術研發(fā)參考以及查看自身技術是否侵權，增加技術思路，做技術知識儲備，不適合論文引用。