技術(shù)編號(hào):11222524
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種納米材料的制備方法,特別涉及一種利用飛秒激光微流道液相燒蝕制備半導(dǎo)體納米晶的方法。背景技術(shù)半導(dǎo)體納米晶,由于具有極強(qiáng)的量子限域效應(yīng),而具有與塊體材料顯著不同的能帶結(jié)構(gòu)與帶隙大小,因而表現(xiàn)出新穎的力學(xué)、光學(xué)、電學(xué)和磁學(xué)性質(zhì),在光電子器件、生物醫(yī)學(xué)標(biāo)記和太陽(yáng)能電池等領(lǐng)域具備廣闊的應(yīng)用前景。早在1996年,美國(guó)加州大學(xué)伯克利分校的Alivisatos,A.P.[Semiconductorclusters,nanocrystals,andquantumdots[J].Science,271...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專(zhuān)利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專(zhuān)利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專(zhuān)利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。