技術(shù)編號(hào)：11222526
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種束狀Sb2Se3納米材料的制備，具體涉及一種微波水熱制備鈉離子電池負(fù)極用束狀硒化銻電極材料的方法。背景技術(shù)由于鈉離子電池具有理論容量高、資源豐富并且電化學(xué)行為與鋰離子電池相似等特點(diǎn)，成為近年來(lái)電化學(xué)儲(chǔ)能領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)。Sb2Se3是一種具有層狀結(jié)構(gòu)的Ⅴ-Ⅵ族化合物，作為鈉離子電池負(fù)極材料，1mol的Sb2Se3可以嵌入12mol的Na+，并且所發(fā)生的轉(zhuǎn)換反應(yīng)是一個(gè)可逆過(guò)程，這些都促使Sb2Se3具有高的理論容量：678mAh·g-1。相關(guān)的報(bào)道有，WenxiZhao等采用“一鍋煮”...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。