技術(shù)編號(hào)：11235498
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本公開的實(shí)施方式一般涉及半導(dǎo)體處理，并且更具體地涉及一種用于半導(dǎo)體處理腔室中的處理套件。背景技術(shù)在等離子體處理腔室中執(zhí)行各種半導(dǎo)體制造工藝，諸如等離子體輔助的蝕刻或化學(xué)氣相沉積?；逯渭诎雽?dǎo)體處理腔室內(nèi)的處理位置處支撐基板。在所述半導(dǎo)體處理腔室內(nèi)維持包括一或多種處理氣體的等離子體區(qū)域，以對(duì)設(shè)置在所述基板支撐件上的基板執(zhí)行半導(dǎo)體制造工藝。等離子體鞘是由空間電荷形成的強(qiáng)電場(chǎng)的薄區(qū)域，所述等離子體鞘將等離子體與材料邊界分隔。在等離子體蝕刻期間，等離子體鞘形成于等離子體和正被蝕刻的基板、半導(dǎo)體處理腔...
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