技術(shù)編號：11249637
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于半導(dǎo)體器件可靠性的表征和測試技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種對高性能電子器件尤其是金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFETs)器件在極短時(shí)間內(nèi)(<10ns)的偏壓溫度不穩(wěn)定性的表征技術(shù)。背景技術(shù)過去幾十年中，隨著CMOS集成電路技術(shù)的發(fā)展，電路中的最核心單元-金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFETs)的尺寸遵從摩爾定律逐步減小，從幾微米(μm)縮短至14nm，晶體管器件密度和性能不斷提高。衡量晶體管器件的可靠性的重要指標(biāo)之一為半導(dǎo)體器件的偏壓溫度不穩(wěn)定性(BTI)。偏壓溫度不穩(wěn)定性包...
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