技術(shù)編號：11252395
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。半導(dǎo)體存儲裝置相關(guān)申請的交叉引用本申請要求2016年3月8日提交的第62/305,476號美國臨時申請和2016年9月14日提交的第15/265,759號美國非臨時申請的優(yōu)先權(quán)，所述申請的全部內(nèi)容在此引入作為參考。技術(shù)領(lǐng)域在此描述的實(shí)施例一般地涉及半導(dǎo)體存儲裝置。背景技術(shù)利用磁阻效應(yīng)的半導(dǎo)體存儲裝置在本領(lǐng)域中是已知的。發(fā)明內(nèi)容根據(jù)一個實(shí)施例，一種半導(dǎo)體存儲裝置包括存儲單元和第一電路。所述第一電路被配置為基于寫入命令產(chǎn)生寫入脈沖并且根據(jù)所述寫入脈沖向所述存儲單元供應(yīng)寫入電流。當(dāng)所述第一電路接收到第...
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