技術(shù)編號：11252402
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。一種NANDFlash電壓自動補償方法和裝置技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明涉及芯片存儲技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種NANDFlash電壓自動補償方法和裝置。背景技術(shù)根據(jù)實現(xiàn)的技術(shù)架構(gòu)的不同，閃存芯片可以分為NORflash、NANDflash和DINORflash等幾種類型。相比于其他幾種類型的閃存，NANDflash能提供極高的單元密度，可以達到高存儲密度，并且寫入和擦除的速度也很快，因此，它是實現(xiàn)大容量數(shù)據(jù)存儲器的理想數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)。NANDFLASH作為一種非易失性存儲介質(zhì)，它以半導體作為記憶載體，比傳統(tǒng)的存儲設(shè)...
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