技術(shù)編號：11252583
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于集成電路制造過程中硅片濕法清洗技術(shù)，其特別涉及一種在氧化硅濕法刻蝕中降低硅損傷的方法。背景技術(shù)在半導(dǎo)體制造工藝技術(shù)領(lǐng)域，濕法清洗/刻蝕在半導(dǎo)體集成電路中必不可少。濕法清洗可有效去除硅片表面在各種不同制程中所產(chǎn)生的缺陷，包括：顆粒、離子、金屬、殘留等缺陷，并為后續(xù)制程提供了良好的硅片性質(zhì)。濕法刻蝕以其各向同性和高選擇比的特點(diǎn)在柵極刻蝕、硅化物阻隔層刻蝕等制程中亦不可或缺?，F(xiàn)有的濕法清洗/刻蝕均根據(jù)其制程之目的，將不同酸液進(jìn)行組合，所述方式在濕法清洗/刻蝕中已被廣泛應(yīng)用。常見地，所述酸液為...
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