技術(shù)編號(hào)：11252662
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，尤其涉及一種閃存單元器件及閃存。背景技術(shù)閃存以其低成本、低功耗、存取速度快等性能優(yōu)勢(shì)，已經(jīng)在非易失存儲(chǔ)器領(lǐng)域占據(jù)主導(dǎo)地位。隨著科技的發(fā)展，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)應(yīng)用也由一些傳統(tǒng)的非易失存儲(chǔ)器專向閃存型存儲(chǔ)器，以閃存為主要存儲(chǔ)介質(zhì)的大容量固態(tài)存儲(chǔ)設(shè)備已經(jīng)成為當(dāng)今數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的主流方案之一?，F(xiàn)有閃存單元為一體的多晶硅浮柵結(jié)構(gòu)，通過閃存單元中的控制柵(ControlGate,CG)加高電壓，使載流子在電場(chǎng)的加速下具有一定能量，利用量子遂穿效應(yīng)越過氧化層，并保存在浮柵中，浮柵保證數(shù)據(jù)的正常存取和...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。