技術(shù)編號(hào)：11252715
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于微電子技術(shù)領(lǐng)域，涉及半導(dǎo)體器件，特別是基于漏場(chǎng)板的電流孔徑異質(zhì)結(jié)晶體管，可用于電力電子系統(tǒng)。技術(shù)背景功率半導(dǎo)體器件是電力電子技術(shù)的核心元件，隨著能源和環(huán)境問(wèn)題的日益突出，研發(fā)新型高性能、低損耗功率器件就成為提高電能利用率、節(jié)約能源、緩解能源危機(jī)的有效途徑之一。而在功率器件研究中，高速、高壓與低導(dǎo)通電阻之間存在著嚴(yán)重的制約關(guān)系，合理、有效地改進(jìn)這種制約關(guān)系是提高器件整體性能的關(guān)鍵。隨著微電子技術(shù)的發(fā)展，傳統(tǒng)第一代Si半導(dǎo)體和第二代GaAs半導(dǎo)體功率器件性能已接近其材料本身決定的理論極限。...
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