技術(shù)編號(hào)：11252795
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于半導(dǎo)體光電子器件制造領(lǐng)域，特別涉及一種基于三維光子晶體結(jié)構(gòu)的發(fā)光光源。背景技術(shù)發(fā)光二極管（LED）是一種當(dāng)在正向方向上被電偏置時(shí)以受激方式發(fā)光的半導(dǎo)體光源裝置。根據(jù)材料的不同，LED可以發(fā)出近紫外、可見光和近紅外光。以氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體，可以制成高效的LED，氮化鎵及其合金的帶隙覆蓋了從紅外到紫外的光譜范圍。它具有寬的直接帶隙、強(qiáng)的原子鍵、高的熱導(dǎo)率、化學(xué)穩(wěn)定性好等性質(zhì)和強(qiáng)的抗輻射能力，在光電子、高溫大功率器件和高頻微波器件應(yīng)用方面有著廣闊的前景。隨著LED在光源領(lǐng)域的應(yīng)用越來...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。