技術(shù)編號：11289621
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明屬于半導體器件相關(guān)技術(shù)領(lǐng)域，更具體地，涉及一種微等離子體刻蝕加工裝置及方法。背景技術(shù)石墨烯是由單層碳原子蜂窩狀排列構(gòu)成的二維晶體，具有高電導率、遷移率、透光性及其他諸多優(yōu)異性能。大面積高質(zhì)量的石墨烯一般是借助于化學氣相沉積制備的，其成功應(yīng)用于微電子必將面臨圖形化刻蝕的問題。石墨烯的圖形化及其相關(guān)器件的制備已經(jīng)成為物理、化學、生物以及材料科學領(lǐng)域的一個研究熱點。目前常用的石墨烯加工方法有：(1)電子束平板印刷技術(shù)，通過紫外光光刻或者電子束光刻等微電子工藝在器件襯底上圖形化光刻膠，利用曝光、剝...
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