技術(shù)編號：11293552
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。硅薄膜的電導(dǎo)率測量方法、缺陷檢測方法及缺陷檢測設(shè)備相關(guān)申請交叉引用本申請要求2012年4月9日向韓國知識產(chǎn)權(quán)局（KIPO）提交的韓國專利申請No.10-2012-0036843的優(yōu)先權(quán)，通過引用將其全部內(nèi)容合并于此。技術(shù)領(lǐng)域示例實施例大體上涉及硅薄膜測量技術(shù)。更具體地，本發(fā)明的各實施例涉及測量硅薄膜的電導(dǎo)率的方法，檢測硅薄膜中的缺陷的方法以及硅薄膜缺陷檢測設(shè)備。背景技術(shù)通常，利用用于測量自由載流子壽命的方法來檢查薄膜的質(zhì)量。根據(jù)射頻（RF）波反射技術(shù)，自由載流子壽命是基于照射到薄膜上的RF波返回...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。