技術(shù)編號：11325579
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及低維結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體材料的制備方法，具體是指一種最優(yōu)光電效能的半導(dǎo)體納米線陣列制備方法。背景技術(shù)半導(dǎo)體垂直納米線陣列在電子學和光學層面上都有利于高效光電轉(zhuǎn)換。首先，納米線是天然的一維光波天線，加上陣列結(jié)構(gòu)引發(fā)的導(dǎo)-共振模式，形成集體“光學陷阱”效應(yīng)，使垂直納米線陣列相對于體材料和其他半導(dǎo)體低維結(jié)構(gòu)更易于實現(xiàn)充分光吸收；同時一維結(jié)構(gòu)也更有利于光生載流子的高效收集。這些優(yōu)勢使得半導(dǎo)體垂直納米線陣列在高效太陽能電池和超靈敏光電探測器中具有越來越大的應(yīng)用潛力。目前，半導(dǎo)體垂直納米線陣列的制備方法可分...
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