技術(shù)編號(hào)：11372004
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本實(shí)用新型涉及碳化硅生產(chǎn)設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種帶有熱反射屏的坩堝。背景技術(shù)現(xiàn)有的液相法生長(zhǎng)碳化硅晶體技術(shù)，都是通過(guò)加熱的方式將硅在高純石墨坩堝中融化，形成碳在硅中的溶液，再將頭部貼付有籽晶的石墨軸伸入到溶液中進(jìn)行生長(zhǎng)；為了使上述反應(yīng)有一個(gè)穩(wěn)定的溫度條件，可以在坩堝內(nèi)設(shè)置熱反射屏，這樣可以將向外輻射的熱量反射回熔融體系中，降低反應(yīng)的能耗，但是現(xiàn)有技術(shù)中的熱反射屏需要在坩堝內(nèi)設(shè)置對(duì)應(yīng)的支架才能實(shí)現(xiàn)，但是該支架必須在制備時(shí)與坩堝置為一體，這樣就無(wú)法實(shí)現(xiàn)位置的可調(diào)，這就導(dǎo)致了在不同的晶體生長(zhǎng)調(diào)節(jié)下，...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。