技術編號：11372021
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本申請涉及碳化硅生產(chǎn)技術領域，具體為一種溫度可控的碳化硅生長坩堝平臺。背景技術人造碳化硅通常是在坩堝中進行生產(chǎn)的，坩堝是通過石墨平臺進行支撐的，石墨平臺起到均熱作用，在碳化硅生長過程中，需要對坩堝進行加熱，但是一般的碳化硅生長坩堝都是直接在坩堝上通電使之加熱，這種加熱方式容易使坩堝能夠在短時間內(nèi)溫度驟升，使得坩堝內(nèi)的溫度難以控制。另外，當加熱結(jié)束后，由于石墨平臺依然處于溫度較高的狀態(tài)，難以使得坩堝內(nèi)的溫度在短時間內(nèi)降下來，這也造成了碳化硅生長過程中的溫度難控問題。基于上述問題，設計發(fā)明一種新型的...
注意：該技術已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權人授權前，僅供技術研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術人員進行技術研發(fā)參考以及查看自身技術是否侵權，增加技術思路，做技術知識儲備，不適合論文引用。