技術(shù)編號(hào)：11372024
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本申請(qǐng)涉及SiC生產(chǎn)技術(shù)領(lǐng)域，具體為一種溫度可控的SiC生長坩堝平臺(tái)。背景技術(shù)人造SiC通常是在坩堝中進(jìn)行生產(chǎn)的，坩堝是通過石墨平臺(tái)進(jìn)行支撐的，石墨平臺(tái)起到均熱作用，在SiC生長過程中，需要對(duì)坩堝進(jìn)行加熱，但是一般的SiC生長坩堝都是直接在坩堝上通電使之加熱，這種加熱方式容易使坩堝能夠在短時(shí)間內(nèi)溫度驟升，使得坩堝內(nèi)的溫度難以控制。另外，當(dāng)加熱結(jié)束后，由于石墨平臺(tái)依然處于溫度較高的狀態(tài)，難以使得坩堝內(nèi)的溫度在短時(shí)間內(nèi)降下來，這也造成了SiC生長過程中的溫度難控問題?；谏鲜鰡栴}，設(shè)計(jì)發(fā)明一種新型的...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。