技術(shù)編號(hào)：11372033
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本實(shí)用新型涉及一種晶體生長裝置，具體地說是一種光作用的晶體生長裝置。背景技術(shù)氮化鎵(GaN)由于其禁帶寬度大、化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定、耐高溫、遷移率高等優(yōu)點(diǎn)，在光電與功率微波器件方面得到了廣泛的應(yīng)用。目前，GaN晶體的生長方法包括有機(jī)金屬化學(xué)氣相沉積法(MOCVD)、氫化物氣相外延法(HVPE)、氨熱法(AmmothermalGrowth)以及鈉流法(NaFlux),其中鈉流法生長GaN晶體具備較好的晶體質(zhì)量和較快的生長速率，成為首選的生長方法之一。在鈉流法中，反應(yīng)釜內(nèi)的氮?dú)?，在高溫高壓的條件下溶解于坩堝...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。