技術(shù)編號：11388147
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體裝置以及制造該半導(dǎo)體裝置的方法，尤其涉及具有變化閾值電壓的半導(dǎo)體裝置。背景技術(shù)傳統(tǒng)上，不同的半導(dǎo)體裝置經(jīng)制造而具有一個或多個不同的裝置特性，例如閾值電壓、開關(guān)速度、泄露功率消耗等。多種不同的設(shè)計可分別向意圖執(zhí)行特定功能的裝置提供這些特性的其中一個或多個的優(yōu)化。例如，一種設(shè)計可具有降低的閾值電壓，以增加提供計算邏輯功能的裝置的開關(guān)速度，而另一種設(shè)計可具有增加的閾值電壓，以降低提供存儲器儲存功能的裝置的功率消耗。如半導(dǎo)體裝置技術(shù)例如場效應(yīng)晶體管(field-effecttransis...
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