技術(shù)編號(hào)：11388217
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本申請(qǐng)涉及存儲(chǔ)器領(lǐng)域，具體而言，涉及一種阻變存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)狀態(tài)的調(diào)控方法。背景技術(shù)阻變存儲(chǔ)器(RRAM)利用材料的可逆電阻轉(zhuǎn)變效應(yīng)實(shí)現(xiàn)信息的存儲(chǔ)功能，具有器件結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、高速、低功耗、可嵌入功能強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)，是下一代非揮發(fā)性存儲(chǔ)器中具有潛在應(yīng)用的前景的存儲(chǔ)器。然而，在實(shí)際應(yīng)用中所面臨的最重要的挑戰(zhàn)之一就是其轉(zhuǎn)變參數(shù)的漲落，很好地控制這些參數(shù)的變化能夠降低阻變存儲(chǔ)器的波動(dòng)性，提高器件可靠性。特別是在ECM(電化學(xué)金屬化機(jī)制)型RRAM中導(dǎo)電細(xì)絲的生長(zhǎng)和斷裂存在著波動(dòng)性，包括設(shè)置過程中細(xì)絲的大小、細(xì)絲的方位...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。