技術(shù)編號：11409894
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。：本發(fā)明涉及一種基于獨立式二硫化錫納米片的垂直光電探測器及制備方法，屬于光電探測器技術(shù)領(lǐng)域。背景技術(shù)：光電探測器是利用半導(dǎo)體材料的光電效應(yīng)原理而制得的一種光電探測裝置，其在軍事和國民經(jīng)濟的各個領(lǐng)域均有廣泛應(yīng)用。近年來，二維半導(dǎo)體納米材料由于其巨大比表面積、獨特的電子結(jié)構(gòu)和光電特性成為制備高性能光電器件的理想候選材料，進而受到了人們的廣泛關(guān)注和研究。目前，以二維半導(dǎo)體納米材料為基礎(chǔ)制備的光電探測器均以平面型結(jié)構(gòu)為主(Q.H.Wangetal.,NatNanotechnol,2012,7,699-7...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。