技術(shù)編號：11489786
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及半導體集成電路設(shè)計，并且更具體地，涉及考慮在電路設(shè)計中使用的器件的老化可靠性的半導體集成電路設(shè)計。背景技術(shù)半導體器件經(jīng)受隨著使用和隨時間使其性能劣化的各種現(xiàn)象。隨著制造處理技術(shù)的發(fā)展，特征尺寸變得更小，當前小到幾十納米，這樣加重了這種劣化。在這些現(xiàn)象中，有熱載流子注入(HCI)、負偏置溫度不穩(wěn)定性(NBTI)和與時間相關(guān)的電介質(zhì)(柵極氧化物)擊穿(TDDB)。器件特性發(fā)生的改變改變了電路性能，并且可以引發(fā)電路故障。因此，需要在集成電路(IC)的設(shè)計階段模擬這些現(xiàn)象的影響，以便檢查和分析...
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該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。
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