技術(shù)編號(hào)：11518013
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一半導(dǎo)體方法，特別針對(duì)用于光刻的場(chǎng)內(nèi)過(guò)程控制技術(shù)提出改善。背景技術(shù)在集成電路(IC)的制造期間，執(zhí)行半導(dǎo)體制造過(guò)程的多步序列以在工件上逐漸形成電子電路。一個(gè)此半導(dǎo)體制造過(guò)程為光刻。光刻為使用輻射(例如，光)將圖案從光罩轉(zhuǎn)印到工件的過(guò)程。發(fā)明內(nèi)容在一些實(shí)施例中，本發(fā)明涉及一種用于光刻工具的場(chǎng)內(nèi)過(guò)程控制的方法。所述方法包括接收第一基線(xiàn)映圖及第二基線(xiàn)映圖，其依據(jù)參考工件上的位置來(lái)描述跨越參考工件分布的參考特征對(duì)的未對(duì)準(zhǔn)。所述方法進(jìn)一步包括確定作為第一基線(xiàn)映圖與第二基線(xiàn)映圖之間的差的Δ基線(xiàn)映圖...
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