技術(shù)編號：11518026
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及用于產(chǎn)生晶片結(jié)構(gòu)的光刻工藝的仿真的方法和裝置，所述方法和裝置基于具有預定結(jié)構(gòu)的掩模的空間像。背景技術(shù)為了生產(chǎn)半導體，硅晶片涂覆有光敏膠(其被稱為抗蝕劑)。待設置在晶片上的結(jié)構(gòu)形成在掩模(光掩模或掩模母版)上，并借助于光刻掃描機通過曝光作為圖像投射到抗蝕劑的光敏層中。使用顯微鏡來檢查掩模的缺陷。這些顯微鏡設計為使得所記錄的空間像與通過掃描機在晶片上產(chǎn)生的圖像的精度相當。這些顯微鏡也稱為掩模檢查顯微鏡。使用掩模檢查顯微鏡允許掩模被檢查(掩模復查)，而不需要執(zhí)行晶片的曝光來檢查掩模。掩模檢查...
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