技術(shù)編號(hào)：11521445
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種電路。背景技術(shù)正探索電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RRAM)、磁阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(MRAM)及相變隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(PCRAM)等等作為下一代存儲(chǔ)器裝置。基于RRAM、MRAM及PCRAM技術(shù)的存儲(chǔ)器單元具有可編程電阻。例如，此類存儲(chǔ)器單元可經(jīng)編程而處于高電阻狀態(tài)或低電阻狀態(tài)中，其中存儲(chǔ)器單元的電阻指示數(shù)據(jù)的位值(例如，在實(shí)例中，高電阻狀態(tài)指示“1”的位值，且低電阻狀態(tài)指示“0”的位值)。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明提供一種電路。所述電路包括具有可編程電阻的存儲(chǔ)器單元；及耦合到所述存儲(chǔ)器單元且包含開關(guān)的...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。
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